| Tipo di tesi | Tesi di laurea magistrale | ||||||||||||||||||||||||||||||
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| Autore | CAPPELLINI, GIACOMO | ||||||||||||||||||||||||||||||
| URN | etd-06222023-123217 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Titolo | A novel measurement custom setup for on-wafer dynamic characterization of GaN HEMTs devices for power applications. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Titolo in inglese | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Struttura | Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari" | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Corso di studi | Electronics Engineering - Ingegneria Elettronica (D.M.270/04) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Commissione |
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| Parole chiave |
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| Data inizio appello | 2023-07-18 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Disponibilità | Accesso limitato: si può decidere quali file della tesi rendere accessibili. Disponibilità mixed (scegli questa opzione se vuoi rendere inaccessibili tutti i file della tesi o parte di essi) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Data di rilascio | 2063-07-18 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Riassunto analitico
We focus on the characterization of the dynamic on-resistance of GaN power transistors. We investigate the possibility to test and study GaN HEMTs devices through a new measurement bench, that is the core of this work. Measuring devices through this new setup allows us to understand the behavior of the devices in the application conditions (hard-switching), finding what are the critical issues and, eventually, the broken points. |
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| Abstract | |||||||||||||||||||||||||||||||
| File |
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