Tipo di tesi | Tesi di laurea magistrale | ||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Autore | ALHAWAJRI, ABDALLAH | ||||||||||||||||||||||||||||||
URN | etd-03132021-003411 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Titolo | Gate driver con controllo attivo di corrente per la riduzione delle sovratensioni in convertitori con dispositivi Wide bandgap | ||||||||||||||||||||||||||||||
Titolo in inglese | Active current source gate driving circuits for overvoltage reduction in Wide bandgap converters | ||||||||||||||||||||||||||||||
Struttura | Dipartimento di Ingegneria | ||||||||||||||||||||||||||||||
Corso di studi | ELECTRONICS ENGINEERING - Ingegneria Elettronica (D.M.270/04) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Commissione |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
Parole chiave |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
Data inizio appello | 2021-04-15 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Disponibilità | Accesso limitato: si può decidere quali file della tesi rendere accessibili. Disponibilità mixed (scegli questa opzione se vuoi rendere inaccessibili tutti i file della tesi o parte di essi) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Data di rilascio | 2061-04-15 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Riassunto analitico
Questa tesi analizza diverse soluzioni che permettono il controllo attivo della corrente di gate nei circuiti di gate driver. Questo tipo di circuiti è particolarmente interessante nel caso del pilotaggio di convertitori basati su dispositivi wide bandgap (SiC o GaN), in quanto, modulando opportunamente la corrente di gate, è possibile gestire il processo di accensione e spegnimento del dispositivo di potenza in modo da evitare severe sovratensioni nella tensione di uscita del convertitore. |
|||||||||||||||||||||||||||||||
Abstract
This thesis analyzes different solutions that allow the active control of the gate current in the gate driver circuits by using a reference current source . This type of circuit is particularly interesting in the case of driving converters based on wide bandgap devices (SiC or GaN), since, by suitably modulating the gate current, it is possible to manage the process of switching the power device on and off in order to avoid severe overvoltages in the converter output voltage. |
|||||||||||||||||||||||||||||||
File |
|